Из ГОСТ Р 70942–2023 Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения

Сокращение

Определение

Основные виды памяти

RAM

Random access memory — память с произвольным доступом

SRAM

Static random access memory — энергозависимая статическая память с произвольным доступом, использующая для хранения данных схему с бистабильной фиксацией.

Примечание — Типичная ячейка хранения данных — триггер

DRAM

Dynamic Random Access Memory — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом (RAM), где каждый бит информации хранится в отдельном конденсаторе интегральной схемы, а также ЗУ, наиболее широко используемое в качестве ОЗУ современных компьютеров

FRAM

Ferromagnetic Random Access non-volatile Memory — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память.

Примечание — Тип памяти, принцип работы которого основывается на эффекте гистерезиса в сегнетоэлектрике

3D XPoint (Optane)

3D Cross Point — энергонезависимая память на фазовых переходах, разработанная совместно компаниями Intel и Micron.

Примечание — Для записи информации в ячейках памяти используется изменение сопротивления материала

Модификации и поколения оперативной DRAM-памяти

SDRAM

Synchronous Dynamic Random Access Memory — разновидность DRAM, синхронная динамическая память с произвольным доступом, позволяющая совместную обработку данных

SGRAM

Synchronous Graphic Random Access Memory — модификация DRAM с синхронным доступом для использования в видеоадаптерах, особенностью которой является использование маскирования при записи блока.

Примечание — Маскирование записи позволяет выбрать данные, которые будут изменены за одну операцию. В видеокартах такой способ (блочная запись) заполнения буфера данными для фонового изображения и изображения на переднем плане обрабатывается более эффективно, чем традиционная последовательность операций чтения, обновления и записи

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR4 SDRAM, DDR5SDRAM

Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных первого, второго, третьего, четвертого и пятого поколений соответственно

GDDR, GDDR2, GDDR3, GDDR4, GDDR5, GDDR6

Graphics Double Data Rate — Модификация энергозависимой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) и удвоенной скоростью передачи данных (DDR), предназначенная для использования в графических картах (видеокартах) первого и последующих поколений соответственно.

Примечание — GDDR отличается от более широко известных подтипов памяти DDR SDRAM, хотя их основные технологии являются общими, включая удвоенную скорость передачи данных

LPDDR, mDDR, Low Power DDR

Low Power DDR — это модификация памяти DDR SDRAM для мало потребляемых интерфейсов DDR с некоторыми изменениями для снижения энергопотребления, предназначенная специально для мобильных устройств

LPDDR, LPDDR2 LPDDR3, LPDDR4 и LPDDR4X LPDDR5 и LPDDR5X

Модификации LPDDR второго и последующих поколений

VRAM

Video RAM — оперативная память для временного хранения изображения (буфер кадра), сформированного видеоадаптером и передаваемого на видеомонитор.

Примечание — Является двухпортовой памятью — может одновременно записывать данные для изменения изображения в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое для прорисовки его на экране

WRAM

Window RAM — является схемотехническим развитием памяти VRAM — в этой разновидности памяти добавлены электронные логические схемы, ускоряющие общие видеофункции

MDRAM

Multibank DRAM — многобанковое ОЗУ. Модульная динамическая память для видеоадаптеров, в которой обеспечивается возможность одновременного независимого обращения к различным ее областям. Такая память состоит из набора модулей DRAM, ассортимент которых обычно настолько широк, что можно набрать требуемый объем памяти с минимальным неиспользуемым остатком

Часто используемые форм-факторы модулей памяти

DIMM

Dual In-line Memory Module — двухсторонний модуль памяти, форм-фактор модулей памяти DRAM.

Примечание — Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 168, 184, 240, 288 шт.

SO-DIMM

Small Outline DIMM — модуль памяти уменьшенного размера.

Примечание — Предназначен для использования в портативной цифровой технике. Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 144, 200, 204, 260 шт.

Модификации DIMM разных поколений памяти

U-DIMM

Unregistered DRAM — нерегистровая или небуферизованная память (оперативная память, которая не содержит буферов или регистров)

R-DIMM

Registered DIMM или иногда buffered memory — вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти.

Примечание — Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти

LR-DIMM

Load Reduced Dual In-Line Memory Modules (так называемый модуль со сниженной нагрузкой) — относительно новый тип памяти для серверов.

Примечание — Поддерживается процессорами начиная с Intel Xeon Е5 и AMD Opteron 6200 начиная с 2012 г. Модули LR-DIMM очень похожи на «обычные» модули памяти типа Registered DIMM (R-DIMM) и даже используют те же печатные платы и чипы памяти DRAM. Однако принцип работы модулей существенно отличается

FB-DIMM

Fully Buffered DIMM — полностью буферизованная DIMM (вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти).

Примечание — Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Стандарт компьютерной памяти, который используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти

HDIMM или HCDIMM

HyperCloud DIMM — модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы

Интерфейс/форм-фактор

Определение

Часто используемые интерфейсы твердотельных накопителей

SATA

Serial Advanced Technology Attachment — последовательный интерфейс обмена данными с накопителями информации.

Примечание — SATA является развитием параллельного интерфейса АТА (IDE), который после появления SATA был переименован в PATA (Parallel АТА)

PCIe

Peripheral Component Interconnect Express — компьютерная шина, использующая программную модель шины PCI и высокопроизводительный физический протокол, основанный на последовательной передаче данных

SAS

Serial Attached SCSI — последовательный компьютерный интерфейс, разработанный для подключения различных устройств хранения данных, например жестких дисков и ленточных накопителей.

Примечание — SAS разработан для замены параллельного интерфейса SCSI и во многом основан на терминологии и наборах команд SCSI

USB

Universal Serial Bus — последовательный интерфейс для подключения периферийных устройств к вычислительной технике

Thunderbolt

Аппаратный интерфейс для изделий под экосистему Apple, ранее известный как Light Peak, разработанный компанией Intel в сотрудничестве с Apple.

Примечание — Служит для подключения различных периферийных устройств к компьютеру

SPI

Serial Peripheral Interface — последовательный периферийный интерфейс, шина SPi; последовательный синхронный стандарт передачи данных в режиме полного дуплекса, предназначенный для обеспечения простого и недорогого высокоскоростного сопряжения микроконтроллеров и периферии

QSPI

Quad Serial Peripheral Interface — последовательный периферийный интерфейс, базовый интерфейс заимствован от шины SPI.

Примечание — Для увеличения скорости обмена пересылка информации идет через четыре линии данных в режиме полудуплекса. Обеспечивает кратное снижение времени латентности при чтении информации из энергонезависимых носителей

I2C

Inter-Integrated Circuit — последовательная асимметричная шина для связи между интегральными схемами внутри электронных приборов

PATA

Parallel Advanced Technology Attachment — параллельный интерфейс подключения накопителей (гибких дисков, жестких дисков и оптических дисководов) к компьютеру

SD

Secure Digital — формат карт памяти (флэш-память), разработанный SD Association (SDA) для использования в портативных устройствах

SD Express

Развитие формата SD, использует интерфейс PCI Express 4.0 и протокол NVMe 1.3 через второй ряд контактов для достижения скоростей до 3,94 ГБ/с

Fibre Channel

Семейство протоколов для высокоскоростной передачи данных, используется как стандартный способ подключения к системам хранения данных уровня предприятия

Часто используемые форм-факторы твердотельных накопителей

3.5"

HDD [Hard (magnetic) Disk Drive] — ЗУ произвольного доступа, основанное на принципе магнитной записи.

Примечание — Основной накопитель данных в большинстве компьютеров. Типовые разъемы: IDE, АТА, SATA, SAS

2.5"

HDD, SSD (Solid-State Drive) — энергонезависимое немеханическое ЗУ на основе микросхем памяти, типовой разъем SATA, SAS

U.2

Форм-фактор и стандарт интерфейса SSD.

Примечание — Геометрия и крепеж 2.5", произвольный разъем SATA, SAS, PCIe и т. д.

М.2

Форм-фактор и стандарт интерфейса SSD.

Примечание — Ламельный разъем как часть монтажной платы (возможны ревизии с различной длиной и ключом разъема)

EDSFF

Enterprise and Datacenter SSD Form Factor — набор стандартных форм-факторов предприятий и центров обработки данных.

Примечание — Включает в себя Е1.S, Е1.L, E3.S, E3.S 2Т, E3.L. Отличаются геометрическими размерами ЗУ. Ламельный разъем — PCIe х4

ММС

Multi Media Card — портативное твердотельное ЗУ, используемое для многократной записи и хранения информации в портативных электронных устройствах.

Примечание — Геометрические размеры — 24 х 32 х 1,5 мм

RS-MMC

Reduced Size MultiMedia Card — уменьшенная версия ММС.

Примечание — Геометрические размеры — 24 х 18 х 1,5 мм

SD

24 х 32 х 2,1 мм

Mini SD

20 х 21,5 х 1,4 мм

Micro SD

11 х 15 х 1 мм

USB Stick

Энергонезависимое портативное твердотельное ЗУ, произвольная геометрия, разъем USB