Запоминающее устройство на магнитных сердечниках (Magnetic core film memory) по ГОСТ 25492–82
-[из 9 ГОСТ 25492-82]
Запоминающее устройство на тонких магнитных пленках (Magnetic thin film memory) по ГОСТ 25492–82
Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкий магнитный слой, нанесенный на подложку [из 10 ГОСТ 25492-82]
Индуктивное запоминающее устройство (Inductor memory) по ГОСТ 25492–82
Запоминающее устройство, использующее индуктивные свойства примененной в нем запоминающей среды [из 11 ГОСТ 25492-82]
Конденсаторное запоминающее устройство (Capacitor memory) по ГОСТ 25492–82
Запоминающее устройство, использующее емкостные свойства примененной в нем запоминающей среды [из 17 ГОСТ 25492-82]
Криогенное запоминающее устройство (Cryogenic memory) по ГОСТ 25492–82
Запоминающее устройство, в котором используется свойство сверхпроводимости при низких температурах [из 13 ГОСТ 25492-82]
Оперативное запоминающее устройство, ОЗУ (Random access memory, RAM) по ГОСТ 25492–82
Запоминающее устройство, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций [из 5 ГОСТ 25492-82]
Оперативное запоминающее устройство, ОЗУ (random access memory, RAM) по ГОСТ Р 70942–2023
ЗУ, хранение данных в котором осуществляется при наличии внешнего источника энергии, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций [из 9 ГОСТ Р 70942—2023]
Системный доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках (Core ferrite memory organization) по ГОСТ 25492–82
Способ доступа к данным, определяемый системой организации запоминающего устройства на ферритовых сердечниках, характеризующийся количеством взаимодействующих адресных или адресно-разрядных токов.
Примечание - Различают системы 2Д, 2,5Д, 3Д [из 25 ГОСТ 25492-82]